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   等離子體增強(qiáng)硅烷氣相沉積系統(tǒng)、亦稱等離子體硅烷蒸鍍系統(tǒng)技術(shù)是將低壓氣體放電形成的等離子體應(yīng)用于化學(xué)氣相沉積的技術(shù)。

等離子激發(fā)的化學(xué)氣相沉積借助于真空環(huán)境下氣體輝光放電產(chǎn)生的低溫等離子體，增強(qiáng)了反應(yīng)物質(zhì)的化學(xué)活性，促進(jìn)了氣體間的化學(xué)反應(yīng)，從而在低溫下也能在基片上形成新的固體膜。

    等離子體增強(qiáng)硅烷氣相沉積系統(tǒng)、等離子體硅烷蒸鍍系統(tǒng)是將工件置于低氣壓輝光放電的陰極上，然后通入適當(dāng)氣體，在一定的溫度下，利用化學(xué)反應(yīng)和離子轟擊相結(jié)合的過(guò)程，在工件表面獲得涂層。其中包括一般化學(xué)氣相沉積技術(shù)，再加上輝光放電的強(qiáng)化作用。  

   輝光放電是典型的自激發(fā)放電現(xiàn)象。這一放電最主要的特征是從陰極附近到克魯克斯暗區(qū)的中場(chǎng)強(qiáng)很大。在陰極輝光區(qū)中，會(huì)發(fā)生比較劇烈的氣體電離。同時(shí)發(fā)生陰極濺射，為沉積薄膜提供了清潔而活性高的表面。由于整個(gè)工件表面被輝光層均勻覆蓋，使工件能得到均勻的加熱。陰極的熱能主要靠輝光放電中激發(fā)的中性粒子與陰極粒子碰撞所提供，一小部分離子的轟擊也是陰極能量的來(lái)源。輝光放電的存在，使反應(yīng)氣氛得到活化，其中基本的活性粒子是離子和原子團(tuán)，它們通過(guò)氣相中電子—分子碰撞產(chǎn)生，或通過(guò)固體表面離子、電子、光子的碰撞所產(chǎn)生，因而整個(gè)沉積過(guò)程與只有熱激活的過(guò)程有顯著不同。以上這些作用在提高涂層的結(jié)合力、降低沉積溫度、加快反應(yīng)速度諸方面都創(chuàng)造了有利的條件。

等離子體增強(qiáng)硅烷氣相沉積系統(tǒng)、等離子體硅烷蒸鍍系統(tǒng)應(yīng)用于 

航空航天新材料疏水處理、陶瓷纖維板材疏水處理、陶瓷纖維棉憎水劑蒸鍍。

手機(jī)平板：抗指紋、防水處理等。

納米壓印：納米壓印脫模階段，抗粘劑蒸鍍工藝。

疏水層制備：生物基材表面、玻璃表面、微流控器件等硅烷偶聯(lián)劑（氨丙基三乙氧基硅烷KH-550/570等、全氟辛基三氯硅烷、全氟癸基三甲氧基硅烷、OTS十八烷基三氯硅烷）鍍膜等工藝。